|
|
°øÁ¤/Á¦Á¶ ¸®¼Ò½º |
| 2008-7-4 |
¼¾¼ ³×Æ®¿öÅ© ÆÛÁñ ¸ÂÃâ IP Ç¥ÁØ
IETF(Internet Engineering Task Force)´Â ¹«¼± ¼¾¼ ³×Æ®¿öÅ©¸¦ ¿Ï¼ºÇϱâ À§ÇÑ Ç¥ÁØ ÀÛ¾÷¿¡ Âø¼öÇß´Ù. |
| 2008-3-4 |
ÀÎÅÚ ÇÁ·Î¼¼¼, '¾ÆÅè'À¸·Î ´Ù½Ã žÙ
ÀÎÅÚÀº Àü·Â ¼Ò¸ð·®À» ³·Ãß°í Å©±âµµ ´ëÆø ÁÙÀÎ Áß¾Óó¸®ÀåÄ¡(CPU) »õ ºê·£µå '¾ÆÅè'À» ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2008-2-29 |
ÀÎÅÚ, Áß±¹ ÆÕ¿¡¼ 65nm Á¦Á¶ ½ÃÀÛÇÑ´Ù
ÀÎÅÚÀº Áß±¹ DalianÀÇ ¿þÀÌÆÛ ÆÕ¿¡¼ 65nm °øÁ¤À¸·Î Á¦Á¶¸¦ ½ÃÀÛÇØµµ µÈ´Ù´Â Çã°¡¸¦ ¹Ì±¹ Á¤ºÎ·ÎºÎÅÍ ¹Þ¾Ò´Ù°í »óÇÏÀÌ µ¥Àϸ® ¸®Æ÷Æ®´Â º¸µµÇß´Ù. |
| 2008-2-27 |
ÀÎÅÚÀÇ Áß±¹ ÆÕ, 65³ª³ë °øÁ¤ »ç¿ë Çã°¡¹Þ¾Æ
»óÇÏÀÌ µ¥Àϸ® ¸®Æ÷Æ®¿¡ ÀÇÇϸé ÀÎÅÚÀº Dalian¿¡ ÀÖ´Â ¿þÀÌÆÛ ÆÕ¿¡¼ 65³ª³ë °øÁ¤ÀÇ Á¦Á¶¸¦ ½ÃÀÛÇϱâ À§ÇØ ¹Ì±¹ Á¤ºÎ¿¡ Çã°¡¸¦ ±¸Çؿ԰í Çã°¡¸¦ ¹Þ¾Ò´Ù°í ÇÑ´Ù. |
| 2008-2-15 |
EEG ½Ã½ºÅÛ À§ÇÑ ³úÆÄÆ÷Âø¿ë ASIC µîÀå
IMEC»ç´Â International Solid State Circuit Conference¿¡¼ ¼ÒÇüÈµÈ º¸Çà¿ë EEG ÃøÁ¤ ½Ã½ºÅÛ¿¡ ÀûÇÕÇÑ ¿ÏÀüÇÑ 200¥ìW, 8ä³ÎÀÇ ³úÆÄÆ÷Âø¿ë ASICÀ» ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2008-2-13 |
µµ½Ã¹Ù, 43nm CMOS ±â¼ú·Î 16±â°¡ºñÆ® NAND °³¹ß
µµ½Ã¹Ù´Â »÷µð½ºÅ©¿Í °øµ¿ °³¹ßÇÑ 43nm °øÁ¤À¸·Î Á¦Á¶µÇ´Â 16±â°¡ºñÆ® NAND Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ĨÀ» °³¹ßÇß´Ù. |
| 2008-1-24 |
³·Àº µ¿ÀÛÀúÇ× °¡Áø ÀúÀü·Â MOSFET
NEC Electronics America»çÀÇ NP SeriesÀÇ ÃֽŠÃß°¡Ç°ÀÎ NP180N04TUG ÀúÀü¾Ð Àü·Â MOSFETÀº ¿ ¹æÃâÀ» °ü¸®Çϰí ÃÖ´ë 1.5m§ÙÀÇ ³·Àº RDS(on) ·¹º§·Î Àü·Â ¼Õ½ÇÀ» °¨ÃàÇϵµ·Ï ¼³°èÇÑ ÁøÈµÈ ±¸Á¶¿Í ÆÐŰÁö¸¦ Ư¡À¸·Î ÇÑ´Ù. |
| 2008-1-8 |
PVR ±â´É Á¦°øÇÏ´Â HD À§¼º STB SoC
ºê·ÎµåÄÄÀº Á¦Á¶¾÷ü°¡ °³ÀÎ¿ë ºñµð¿À ³ìȱâ(PVR) ±â´ÉÀ» °¡Áø Àú·ÅÇÑ STB¸¦ °³¹ßÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï »õ·Î¿î ´ÜÀÏĨ¿¡ ´ÙÁß Æ÷¸ËÀÇ °í¼±¸í(HD) À§¼º STB ¼Ö·ç¼ÇÀ» ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2007-12-19 |
'ÃÖÃÊ'ÀÇ 10±â°¡ºñÆ® ÀÓÇÇ´ø½º º¯È¯ ÁõÆø±â, Çâ»óµÈ °¨µµ Á¦°ø
Nanotech Semiconductor»ç´Â 2.5Gbit/s ¹× ÀϹÝÀûÀ¸·Î ºñ½Ñ SiGe °øÁ¤À¸·Î Á¦Á¶µÇ´Â ±âÁ¸ ¼Ö·ç¼Ç¿¡ ºñÇØ Çâ»óµÈ °¨µµ¸¦ Á¦°øÇÏ´Â ÃÖÃÊÀÇ 10Gbit/s CMOS ÀÓÇÇ´ø½º º¯È¯ ÁõÆø±â(TIA)ÀÇ »õ·Î¿î °è¿À» ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2007-11-29 |
µ¿³²¾Æ½Ã¾Æ¿ëÀ¸·Î ¼³°èµÈ Xeon ±â¹Ý ¼¹ö Ãâ½Ã
Fujitsu Asia´Â µ¿³²¾Æ½Ã¾Æ ½ÃÀåÀ» À§ÇÑ 7°¡ÁöÀÇ Xeon ±â¹Ý µà¾ó ÄÚ¾î ¶Ç´Â Äõµå ÄÚ¾î Primergy ¼¹ö¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2007-11-28 |
RF MEMS ½ºÀ§Ä¡ ½ÃÀå, 5³â ³» Å©°Ô ¼ºÀåÇÒ °Í
WTC(Wicht Technologie Consulting)¿¡ µû¸£¸é, RF MEMS ½ºÀ§Ä¡ ¼ö¿ä°¡ ÇâÈÄ 5³â µ¿¾È Å©°Ô ¼ºÀåÇÒ °ÍÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. |
| 2007-11-26 |
AMD, Penryn°ú °æÀïÇÒ Phenom Ãâ½Ã
Advanced Micro Devices»ç´Â ÄÄÇ»ÅÍ ÇÁ·Î¼¼¼ °æÀï ÃֽаèȹÀÇ ÀÏȯÀ¸·Î 11¿ù 19ÀÏ ÀÚ»ç ÃÖÃÊÀÇ Äõµå ÄÚ¾î µ¥½ºÅ©Å¾ ÇÁ·Î¼¼¼¿Í ÀÌ¿¡ °üÇÑ Ä¨¼Â ¹× Ç÷§ÆûÀ» Ãâ½ÃÇß´Ù. |
| 2007-11-23 |
16ºñÆ® »ö»ó¿¡ 3.4Gbit/s Áö¿øÇÏ´Â HDMI ½ºÀ§Ä¡
ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º´Â ÁøÁ¤ÇÑ °í¼±¸í È»óÀ» À§ÇØ À¯ÁöÇϱâ À§ÇØ 65k »ö»óÀÇ ¿ÏÀüÇÑ 16ºñÆ® »ö»ó °èÁ¶¸¦ °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÏ´Â, ÃÖ°í 3.4GbitÀÇ ºñµð¿À µ¥ÀÌÅÍ Àü¼Û ¼Óµµ¸¦ Áö¿øÇÏ´Â HDMI ½ºÀ§Ä¡¸¦ ÃÖÃÊ·Î ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2007-11-16 |
AMDÀÇ Barcelona, °ú¿¬ ¿ù°è°ü Â÷ÁöÇÒ ¸¸ÇѰ¡?
AMD»ç°¡ ¡°³×ÀÌÆ¼ºê¡± ½Ì±ÛĨ ÄõµåÄÚ¾î ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ Barcelona¶ó´Â ÄÚµå¸íÀ¸·Î ¼±º¸¿´´Ù. ÀÌ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÇÁ·Î¼¼¼´Â AMD »çÀÇ K8 ÄÚ¾î ¾ÆÅ°ÅØÃ³¸¦ ¼÷Àû Intel »çÀÇ Ä¨À» ´É°¡ÇÏ´Â Á¦Ç°À¸·Î ±¸ÇöÇϵµ·Ï ¼³°èµÇ¾ú´Ù. |
| 2007-11-16 |
»ý»ê´É·Â ÅëÁ¦ À§ÇØ ÆÕ¸®½º ¾Æ´Ñ ÆÕ¶óÀÌÆ® Àü¼ú·Î
NXP Semiconductors»çÀÇ »çÀåÀÌÀÚ ÃÖ°í °æ¿µÀÚÀÎ Frans van Houten ¾¾·ÎºÎÅÍ NXP»ç°¡ Philips »êÇÏ¿¡¼ ºÐ»çÇØ ³ª¿Â ÀÌ·¡·Î ÆîÃĿ ÆÕ¶óÀÌÆ® Àü¼ú°ú ÁÖ¿ä ÃßÀÌ¿¡ ´ëÇØ µé¾îº»´Ù. |
| 2007-10-25 |
ÈÞ´ëÀüȱâ¿ë SiP ºñ¿ë ÁÙÀÌ´Â 32¸Þ°¡ºñÆ® SDRAM ¼³°è
½Ã½ºÅÛ ÀÎ ÆÐŰÁö¿Í ´ÙÁßĨ ÆÐŰÁö ¼ÒÀÚ¸¦ À§ÇÑ IP ±â¹Ý DRAM ¼Ö·ç¼Ç °ø±ÞÀÚÀÎ Inapac Technology»ç´Â ÀÚ»ç Á¦Ç°±º¿¡ »õ·Î¿î 32¸Þ°¡ºñÆ® SDRAM ¼³°è¸¦ Ãß°¡Çß´Ù. |
| 2007-10-17 |
9.6GBps·Î µ¥ÀÌÅÍ Àü¼ÛÇÏ´Â XDR DRAM
Elpida Memory»ç¿Í Rambus»ç´Â Rambus»çÀÇ XDR ¸Þ¸ð¸® ±¸Á¶¸¦ ¹ÙÅÁÀ¸·Î ÇÏ´Â 512¸Þ°¡ºñÆ® 4.8GHz XDR DRAMÀÌ ¾÷°è¿¡¼ °¡Àå ºü¸¥ DRAMÀ̶ó°í ¸»Çß´Ù. |
| 2007-10-10 |
¿¤ÇÇ´Ù, ¼¼°è ÃÖ°í¼Ó DRAM °ø°³ÇÑ´Ù
¿¤ÇÇ´Ù ¸Þ¸ð¸®¿Í ·¥¹ö½º ¾ç»ç´Â ·¥¹ö½ºÀÇ XDR ¸Þ¸ð¸® ¾ÆÅ°ÅØÃ³¿¡ ±â¹ÝÇÑ ¾÷°è ÃÖ°í¼Ó DRAM Á¦Ç°ÀÎ 512Mb 4.8GHz XDR(TM) DRAMÀ» °ø°³Çß´Ù. |
| 2007-9-3 |
°¡Àü ¹× »ê¾÷ ¾îÇø®ÄÉÀÌ¼Ç À§ÇÑ Ã·´Ü H.264 ÄÚµ¦
Mobilygen»ç´Â IP ³×Æ®¿öÅ© »óÀÇ ½ÃÅ¥¾î ºñµð¿À ½ºÆ®¸®¹ÖÀ» Áö¿øÇϸ鼵µ ´ÙÁß Ç¥ÁØ Á¤ÀÇ ½ºÆ®¸²µé¿¡ ´ëÇØ¼ ÃÖ°í ǰÁúÀÇ HD H.264 ÀÎÄÚµù/µðÄÚµùÀ» ó¸®ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Â÷¼¼´ë H.264 ÄÚµ¦À» ³»³õ¾Ò´Ù. |
| 2007-9-3 |
¼ÒÇÁÆ®¿þ¾î·Î Á¤ÀÇÇÏ´Â ¸ÖƼ½º·¹µðµå ÇÁ·Î¼¼¼ ¾ÆÅ°ÅØÃ³
½Å»ý ÆÕ¸®½º Ĩ ¾÷üÀÎ Xmos Semiconductor»ç´Â ¼ÒÇÁÆ®¿þ¾î Á¤ÀÇ ½Ç¸®ÄÜ Á¢±Ù ¹æ½ÄÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ¸ÖƼ½º·¹µðµå ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ ³»³â »ó¹Ý±â Áß ³»³õÀ» °èȹÀÌ´Ù. |
| 2007-8-7 |
Ä÷ÄÄ, 45nm Á¦Á¶ °³½Ã
Ä÷ÄÄÀº 45nm °øÁ¤ ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ÃÖÃÊÀÇ Ä¨ »ý»êÀ» ½ÃÀÛÇß´Ù. |
| 2007-6-29 |
PTC, ÈÞ´ë¿ë Á¦Ç°¿ë D±Þ ÁõÆø±â Ãâ½Ã
Princeton Technology»ç´Â ÈÞ´ëÀüȱâ, GPS PND¿Í PMP¿ëÀ¸·Î Ưº°È÷ ¼³°èÇÑ ÀÚ»ç ÃÖÃÊÀÇ ¸ð³ë 2.5W D±Þ ÁõÆø±âÀÎ PT2333À» Ãâ½ÃÇß´Ù. |
| 2007-6-15 |
IBM, SOI °¡Áø 45nm ASIC ¼±º¸¿©
IBM»ç´Â ¹Ì±¹ »÷µð¿¡ÀÌ°í¿¡¼ ¿¸®´Â ¿¬·Ê Design Automation Conference¿¡¼ Cu-45 High-Performance ÁÖ¹®Çü ĨÀ» ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2007-5-29 |
IBM, ±ØÈ÷ ºü¸¥ Power6 Ĩ ¹ßÇ¥ ¿¹Á¤
IBM»ç´Â 4.7GHz Power6 2 ÄÚ¾î ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ç¿ëÇÏ´Â ÀÚ»çÀÇ »õ·Î¿î p570 ½Ã½ºÅÛÀ» °ø°³ÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù. |
| 2007-5-7 |
ÀÎÅÚ Otellini, ´õ ¸¹Àº Çõ½Å°ú ºñ¿ë Àý°¨ ¾à¼ÓÇØ
Paul Otellini CEO´Â Intel Spring Analyst MeetingÀ» ÅëÇØ Çõ½Å°ú ºñ¿ëÀý°¨¿¡ ´ëÇÑ °èȹÀ» ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2007-5-4 |
µµ½Ã¹Ù, Á¦¾îÀåÄ¡ ÅëÇÕÇÑ ³»ÀåÇü 16GB NAND Ç÷¡½Ã Ãâ½Ã
Toshiba»ç´Â eMMCTM¿¡ ÀûÇÕÇϸç ÇöÀç ¼¼°è¿¡¼ °¡Àå Å©´Ù°í ÇÏ´Â ÃÖ°í 16±â°¡¹ÙÀÌÆ®ÀÇ ¿ë·®À» Á¦°øÇÏ´Â ³»ÀåÇü NAND Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ÀåÄ¡ÀÇ »õ·Î¿î °è¿À» Ãâ½ÃÇß´Ù. |
| 2007-4-30 |
NEC, ¼¹ö¿Í ³ëÆ®ºÏ PCÀÇ ¿ ÁÙ¿©ÁÖ´Â MOSFET °³¹ß
NEC Electronics America»ç´Â 2°¡Áö MOSFET °è¿À» °³¹ßÇß´Ù. |
| 2007-4-2 |
PLX, ½ÅÁ¦Ç° Ãâ½Ã·Î PCIe ½ºÀ§Ä¡ ¶óÀÎ È®ÀåÇØ
PCIÀÇ ´ë¿ëÀ¸·Î °³¹ßµÈ 2.5Gbps Á÷·Ä ÀÎÅÍÄ¿³ØÆ® PCIeÀÇ »ç¿ëÀÌ ´Ã¾î³²¿¡ µû¶ó PLX»ç´Â ÀÚ»çÀÇ PCIe ½ºÀ§Ä¡ ¶óÀÎÀ» 13°³ÀÇ µð¹ÙÀ̽º·Î È®ÀåÇß´Ù. |
| 2007-3-19 |
IDM, ÆÕ¸®½ºÀÇ Àüö ¹â´Â°¡?
Crolles2 AllianceÀÇ ¿ÍÇØ¿Í ´õºÒ¾î ÇâÈÄ °øÁ¤±â¼ú¿¡¼ ÆÄ¿îµå¸® ÆÄÆ®³Ê¿Í Çù·ÂÇÒ °ÍÀ̶ó´Â TI»çÀÇ °áÁ¤Àº Àüü ¹ÝµµÃ¼ ¾÷°è°¡ ÆÕ¸®½º·Î °¡´Â °ÍÀÌ ¾Æ´Ï³Ä´Â ÀÇȤÀ» ³º¾Ò´Ù. |
| 2007-2-28 |
Hitachi¿Í Renesas, 1.5V À§»óº¯È ¸Þ¸ð¸® ¸ðµâ ¹ßÇ¥
Hitachi¿Í Renesas Technology»ç´Â ĨžÀçÇü ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸® ¾îÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» À§ÇØ ÀúÀü·ÂÀÇ °í¼Ó 1.5V À§»óº¯È ¸Þ¸ð¸® ¸ðµâÀ» °³¹ßÇß´Ù. |
| 2007-2-23 |
¹ÝµµÃ¼¡¤FPD Àü½Ãȸ, Áß±¹¿¡¼ µ¿½Ã °³ÃÖ
2007³â Áß±¹ ±¹Á¦ ¹ÝµµÃ¼¡¤FPD ±â¼ú, ÀåºñÀüÀÌ 2007³â 8¿ù 8ÀϺÎÅÍ 10ÀϱîÁö 3Àϰ£ º£ÀÌ¡ Áß±¹ ±¹Á¦ Àü½Ã°ü¿¡¼ °³ÃֵȴÙ. |
| 2007-2-1 |
Sematech, ÇÏÀÌ-k CMOS µð¹ÙÀ̽º ¼Ö·ç¼Ç ¹ßÇ¥
ÇÏÀÌ-k CMOS µð¹ÙÀ̽ºÀÇ µà¾ó ±Ý¼Ó °ÔÀÌÆ® °³¹ß ¿ä±¸¿¡ ºÎÀÀÇϱâ À§ÇØ Ä¨ Á¦Á¶ R&D ÄÁ¼Ò½Ã¾öÀÎ Sematech´Â CMOS·Î Â÷¼¼´ë nMOS ¹× pMOS Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ °³¹ßÇÏ´Â ÇÏÀÌ-k/±Ý¼Ó °ÔÀÌÆ® ½ºÅÃÀ» ¹ßÇ¥, ½Ã¿¬Çß´Ù. |
| 2007-1-16 |
±Ø¹Ì¼¼ °øÁ¤À¸·Î Á¦Á¶µÇ´Â ÀúÀü·Â µð¹ÙÀ̽º¸¦ À§ÇÑ ¡®design-with-test¡¯ Ç÷οì
DWT(design-with-test)´Â Àüü Ç÷ο쿡 Àü·ÂÀ» °í·ÁÇÑ Å×½ºÆ® Àü·«À» Æ÷ÇÔ½ÃÅ´À¸·Î½á 65nm ÀúÀü·Â Á¦Á¶ °øÁ¤¿¡¼ °³º° ÅøÀÌ Ç÷οìÀÇ °¢ ´Ü°è¿¡¼ ÀúÀü·Â Å×½ºÆ®ÀÇ ¿µÇâÀ» ÃÖ¼ÒÈÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÑ´Ù. |
| 2007-1-10 |
ÀÎÅÚ, Äõµå ÄÚ¾î PC ¹× ¼¹ö ¶óÀξ÷ °È
ÀÎÅÚÀº Äõµå ÄÚ¾î PC ÆÇ¸Å¸¦ ÁÖ ¼ÒºñÀÚÃþÀ¸·Î È®´ëÇÏ´Â °è±â¸¦ ¸¸µç ÀÎÅÚ ÄÚ¾î¢â2 Äõµå ÇÁ·Î¼¼¼ ºê·£µå¸íÀÌ ÃÖÃÊ·Î Àû¿ëµÈ Á¦Ç°À» Æ÷ÇÔ, ¼¼ °³ÀÇ Äõµå ÄÚ¾î ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ Ãß°¡ÀûÀ¸·Î °ø½Ä ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2006-12-5 |
SEZ, FEOL Ŭ¸®´× ·Îµå¸Ê À§ÇØ »õ·Î¿î EsantiTM ½Ì±Û ¿þÀÌÆÛ ½À½Ä Ç÷§Æû ¹ßÇ¥
SEZ ±×·ìÀÌ FEOL Ŭ¸®´×°ú Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ½ºÆ®¸³ °øÁ¤À» °Ü³ÉÇÑ EsantiTM Ç÷§ÆûÀ» Ãâ½ÃÇß´Ù. |
| 2006-10-17 |
IR, °íÀü¾Ð ½Â¾ÐÇü Àü¾ÐÁ¶Á¤±â Á¦¾î IC ¹ßÇ¥
International Rectifier»ç´Â ´ÙÁß LED ȸ·Î¸¦ ÇÊ¿ä·Î Çϰųª DC/DC »ö»ó È¥ÇÕ ´É·ÂÀ» ÇÊ¿ä·Î ÇÏ´Â AC/DC ¿ÀÇÁ¶óÀÎ, ºñÀý¿¬ Á¦Ç°À» À§ÇÑ °íÀü¾Ð, °íÁÖÆÄ ½Â¾ÐÇü Àü¾ÐÁ¶Á¤±â Á¦¾î IC¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2006-10-11 |
STMicro, MEMS¿¡ °üÇÑ Áß¿äÇÑ ¿¬±¸°á°ú ¹ßÇ¥
ÀÌÀü °£Ç๰µé°ú ºñ½ÁÇÏ°Ô Æ¯Á¤ ±â¼ú ÁÖÁ¦¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î ÇÁ·Î¼¼¼ ¾ÆÅ°ÅØÃ³¿Í ÄÄÇÊ·¹À̼Ç, ³×Æ®¿öÅ© ¸ÖƼ¹Ìµð¾î¿¡ ´ëÇÑ STÀÇ ¼±Áø ¿¬±¸°á°ú¸¦ »ó¼¼ÇÏ°Ô ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2006-10-10 |
½Ç¸®ÄÜ ±â¼úÀÇ ÁøÈ°¡ ¿¡³ÊÁö È¿À²¼ºÀÇ »õ·Î¿î ½Ã´ë ¿¹°í
ÀÎÅÚ »çÀå °â CEOÀÎ Æú ¿ÀÅÚ¸®´Ï »çÀåÀº ÀÎÅÚÀÇ ±â¼ú ¼±µµ·ÂÀ» ÃËÁø½Ã۱â À§ÇÑ °èȹ¾ÈÀÇ °³¿ä¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2006-9-18 |
Çö½Ç¼¼°èÀÇ ÆäÀÌý: À§Á¶ Ĩ Á¦Á¶¾÷ü ÆÄ¾Ç ¹æ¹ý
¼¼°è ½ÃÀå¿¡ ÆÇ¸ÅµÇ´Â ÇÏÀÌÅ×Å© Á¦Ç°µé °¡¿îµ¥ 7~10ÆÛ¼¾Æ®°¡ À§Á¶ Á¦Ç°µéÀÌ´Ù. À̵éÀÇ Ãâó¸¦ ¾î´À ¼±±îÁö ÆÄ°í µéÁö °áÁ¤Çϱâ Àü¿¡ À̵éÀÌ ÆÇ¸Å ¼öÀͰú ºê·£µå ³×ÀÓ¿¡ ³¢Ä¡´Â ¼Õ½Ç Á¤µµ¸¦ ¸ÕÀú ÆÄ¾ÇÇØ¾ß¸¸ ÇÑ´Ù. |
| 2006-9-15 |
Tessera, Flextronics»ç¿Í ¿þÀÌÆÛ Á¶¸³ °è¾à ü°á
ÀüÀÚ»ê¾÷¿ë ¼ÒÇüÈ ±â¼ú °³¹ßÀÚÀÎ Tessera Technologies»ç´Â ½Ì°¡Æ÷¸£ÀÇ ÀüÀÚÁ¦Ç° Á¦Á¶ ¼ºñ½º(EMS) Á¦°øÀÚÀÎ Flextronics International»ç¿Í ¿þÀÌÆÛ ´Ü°è Á¶¸³ ±â¼ú ¶óÀ̼±½º °è¾àÀ» ü°áÇß´Ù. |
| 2006-9-1 |
NS, ƯÇã Ãâ¿ø ÁßÀÎ TruTherm ±â¼ú äÅà ÅëÇØ Á¤¹Ð ¿Âµµ ¼¾¼ Á¦Ç°±º È®Àå
National Semiconductor»ç´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ ¸ðµå º£Å¸ º¸Á¤ ±â´ÉÀ» Áö¿øÇÏ´Â ³»¼Å³ÎÀÇ TruTherm ¿ °ü¸® ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇÑ °íÁ¤¹Ð ¿ø°Ý ´ÙÀÌ¿Àµå ¿Âµµ ¼¾¼ Á¦Ç°À» Ãâ½ÃÇÑ´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù. |
| 2006-8-16 |
´õ ÀÛÀº Å©±â, Àú·ÅÇÑ °¡°Ý ÁöÇâÇÏ´Â CMOS À̹ÌÀú
CMOS À̹ÌÁö ¼¾¼´Â CCD¿¡ ºñÇØ ¶Ñ·ÇÇÑ ÀÌÁ¡À» °®°í ÀÖ´Ù. À̹ÌÀú¸¦ ±âÁ¸ÀÇ CMOS ÆÕ¿¡¼ Àú·ÅÇÏ°Ô »ý»êÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ´Ù¾çÇÑ À̹ÌÁö ÇÁ·Î¼¼½Ì, ¾ÐÃà ¹× ±âŸ ·ÎÁ÷ ȸ·ÎµéÀ» ÅëÇÕ½ÃÄÑ ÀÛ°Ô ¸¸µé ¼ö ÀÖ´Ù. |
| 2006-7-6 |
AMD, Â÷¼¼´ë ±â¼ú °³¹ß·Î ¾÷°è ÃÖ°í ÀÚ¸® ³ë·Á
Phil Hester AMD CTO·ÎºÎÅÍ CPU ºÐ¾ßÀÇ ÃÖ°í¾÷ü°¡ µÇ±â À§ÇÑ AMDÀÇ ±â¼ú Àü·« ¹æÇâ°ú Â÷¼¼´ë Á¦Ç°¿¡ ´ëÇØ µé¾îº»´Ù. |
| 2006-6-26 |
[SEK2006] ¹ÙÀÌºê ±â¼ú ¾Ë¸®±â¿¡ ³ª¼± ÀÎÅÚÄÚ¸®¾Æ
ÀÎÅÚÄÚ¸®¾Æ´Â ¡°SEK2006¡±¿¡¼ ¡®¹ÙÀÌºê ±â¼ú Ç÷§Æû¡¯ ¾Ë¸®±â¿¡ ³ª¼¹´Ù. |
| 2006-6-16 |
¸ð¹ÙÀÏ Ç÷¡½Ã ½ÃÀå °Ü³ÉÇÑ 90³ª³ë StrataFlash
Intel»ç°¡ ¸ð¹ÙÀÏ ÀÓº£µðµå Ç÷¡½Ã ½ÃÀåÀ» °Ü³ÉÇØ ÃÖ±Ù ¼±º¸ÀÎ 90nm StrataFlash ¼¿·ê·¯ ¸Þ¸ð¸®(M18)´Â Â÷¼¼´ë ¼¿·ê·¯ ÆùÀÇ ¸Þ¸ð¸® ¿ä±¸¿¡ ºÎÀÀÇÏ´Â ÃÖ÷´Ü NOR µð¹ÙÀ̽ºÀÌ´Ù. |
|
 |
|
|